Кремний на изоляторе - Упоминания в других статьях


всего найдено упоминаний этой статьи: 16
информация о статьеMIL-STD-1750A
Важным является тот факт, что в стандарте не определены практические детали реализации процессоров 1750A. Из-за этого процессоры системы команд 1750A выпускает большое число компаний в виде отдельных компонентов, плат и системных решений, созданных с применением множества технологий, зачастую наиболее передовых и экзотических в период их появления (например, GaAs, ЭСЛ, кремний на сапфире). Особый интерес представляет тот факт, что системы на основе 1750A часто предлагают высокий уровень защиты от излучения и прочих опасных сред, делая их в полной мере подходящими для применения в военной, авиационной и космической отраслях.

информация о статьеBroadway (процессор)
BroadwayRISC-микропроцессор архитектуры POWER, разработанный инженерами IBM для игровой приставки 7-го поколения Nintendo Wii. Изготовлен по технологии SOI и 90 нм технологическому процессу. В IBM утверждают, что энергопотребление процессора снизилось на 20 % по сравнению с его предшественником Gekko.

информация о статьеIBM
  • Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин.

информация о статьеK10
  • техпроцесс: 65нм SOI
  • площадь ядра: 283 кв.мм
  • количество транзисторов: 463 млн
  • напряжение:1.05V-1.38V
  • Socket: AM2+(940 pin)/F(1207 pin)

информация о статьеAthlon 64
Процессор Athlon 64 производится по технологическому процессу 130 нм и 90 нм SOI. Все последние ядра (Winchester, Venice и San Diego) производятся по 90 нм техпроцессу. Ядро Venice и San Diego также производятся с использованием технологии Dual Stress Liner, разработанной совместно с IBM.

информация о статьеПористый кремний
К середине 1970-х годов плотность элементов в интегральных схемах увеличилась настолько, что необходимо было найти способ исключить токи утечки между ними через кремниевую подложку. Для этого была предложена структура «кремний на изоляторе» (КНИ). КНИ-структура представляет собой основу из диэлектрического материала с выращенным монокристаллическим слоем кремния. В этом случае элементы интегральных схем формируются в объеме слоя, после чего выполняется операция локального окисления по их периметру и каждый элемент становится изолированным от своих соседей. В качестве изолирующей основы КНИ-структур уже в первых экспериментах хорошо зарекомендовал себя окисленный пористый кремний.

информация о статьеRFID
В 2006 Hitachi изготовила пассивное устройство, названное µ-Chip (мю-чип), размерами 0.15х0.15 мм (не включая антенну) и тоньше бумажного листа (7.5 мкм). Такого уровня интеграции позволяет достичь технология «кремний-на-изоляторе» (SOI). µ-Chip может передавать 128-битный уникальный идентификационный номер, записанный в микросхему на этапе производства. Данный номер не может быть изменён в дальнейшем, что гарантирует высокий уровень достоверности и означает, что этот номер будет жёстко привязан (ассоциирован) с тем объектом, к которому присоединяется или в который встраивается этот чип. µ-Chip от Hitachi имеет типичный радиус считывания 30 см (1 фут). В феврале 2007 года Hitachi представила RFID-устройство, обладающее размерами 0,05 х 0,05 мм, и толщиной, достаточной для встраивания в лист бумаги.

информация о статьеAthlon XP
В конце 2002 года появилась информация о выпуске компанией AMD третьей ревизии ядра Thoroughbred — C0 (CPU Id 0x682h), которая должна была производиться с использованием технологии SOI, иметь бо́льшую площадь ядра (86,97 мм²) и работать на более высокой частоте, однако в официальной документации компании AMD упоминания об этой ревизии отсутствуют.

информация о статьеAthlon XP
Barton — последнее ядро, использовавшееся в процессорах Athlon XP. Оно было представлено в феврале 2003 года и представляло собой ядро Thoroughbred с увеличенной до 512 Кбайт кэш-памятью второго уровня. Процессоры на ядре Barton содержали 51,3 млн транзисторов, производились по 130-нм технологии и имели площадь кристалла 100,99 мм². Напряжение ядра составляло 1,65 В, максимальное тепловыделение — 79,2 Вт (на частоте 2333 МГц). Планировалось, что процессоры на ядре Barton будут производиться с применением технологии SOI (кремний на изоляторе), позволяющей увеличить тактовые частоты и снизить тепловыделение процессоров, однако осенью 2002 года было объявлено, что технология SOI не будет применяться при производстве процессоров Athlon XP.

информация о статьеTurion 64 X2
Первые модели Turion 64 X2 производятся с использованием 90 нм SOI процесса компании IBM (Taylor). В дальнейшем запланирован переход на 65 нм процесс (Tyler), вероятнее всего на основе технологии напряженного кремние-германиевого процесса, который был недавно совместно разработан исследователями IBM и AMD и который является более совершенным, по сравнению с другими 65 нм процессами.


всего найдено цитат на эту статью 16
Проект wiki-linki.ru основан на данных Wikipedia, доступной в соответствии с GNU Free Documentation License.