wiki-linki.ru - поиск статей википедии и связей между ними

Кремний на изоляторе


Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная рабочая частота схем, выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц . В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 90 нм, или только разрабатываемому сейчас 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре.


Вопрос по теме Сформулируйте свой вопрос в одном предложении. Для вопросов и ответов используется сервис Отвечай.ru

Проект wiki-linki.ru основан на данных Wikipedia, доступной в соответствии с GNU Free Documentation License.